纳米制程难度加大 半导体产品换代放缓

据台湾媒体报道，因应半导体业进入纳米技术时代，2003年国际半导体技术蓝图（ITRS）日前表示，半导体制程将从2年更新一代的周期延长为3年更新一代；同时，由台积电主导的65纳米以下光罩制作“浸润式微影技术”（Immersion Lithography），也与无线通讯IC制程一同增列于2003年ITRS蓝图中，供全球半导体业遵循。

　 由欧盟、日本、韩国、美国与台湾半导体产业协会所组成的ITRS，每年开会提出技术蓝图修正。代表成员之一的旺宏资深副总经理暨技术总监卢志远表示，随着纳米技术难度提高，业者投资脚步放慢，为避免全球多数业者跟不上技术时程，导致被淘汰的厄运，2003年技术蓝图确定改为每2年更新一代延长为3年。

??台积电逻辑技术发展处协理孙元成介绍该公司大力推动的“浸润式微影技术”是在193纳米波长曝光机的基础上，于光源与晶圆之间加入水，以使波长缩短到132纳米的微影技术，比起目前一般干式微影设备，此技术可支持65纳米、45纳米，甚至到32纳米制程，可说是微影技术的一大突破。

??无线通讯IC越居通讯技术主流，硅半导体业目前已可量产频率高达5GHZ的射频IC，硅晶圆与硅锗晶圆（SiGe）技术兼容性高，技术可望推升到100GHZ的高水平，这次ITRS技术蓝图也首次将无线通讯IC独立增列于其中。